CDD25402Q3A
- TI
- Chine
- 21+/22+
- 5000~50000
1, super grand approvisionnement d'usine EMS, les meilleures conditions de stockage;
2, l'usine d'origine n'a pas ouvert la norme d'origine (l'ensemble du paquet), la qualité est garantie ;
3, les matériaux de contrôle non spéciaux ne peuvent pas être peints;
4, les derniers produits de l'année, disponibles pour une variété de matériaux rares;
| Attribut de produit | Valeur d'attribut | Sélectionnez l'attribut |
|---|---|---|
| Texas Instruments | ||
| Catégorie de produit: | MOSFET | |
| RoHS : | Détails | |
| Et | ||
| CMS/CMS | ||
| VSONP-8 | ||
| Canal P | ||
| 1 canal | ||
| 20V | ||
| 76 A | ||
| 8,9 mOhms | ||
| - 12 V, + 12 V | ||
| 650mV | ||
| 7,5 nC | ||
| - 55 C | ||
| + 125 C | ||
| 69W | ||
| Renforcement | ||
| NexFET | ||
| CDD25402Q3A | ||
| Bobine | ||
| Couper le ruban | ||
| SourisReel | ||
| Marque: | Texas Instruments | |
| Configuration: | Seul | |
| Temps d'automne : | 12 ns | |
| Hauteur: | 0,9 mm | |
| Longueur: | 3,15 millimètres | |
| Type de produit: | MOSFET | |
| Temps de montée: | 7 ns | |
| 2500 | ||
| Sous-catégorie : | MOSFET | |
| Type de transistor : | 1 MOSFET de puissance canal P | |
| Délai d'extinction typique : | 25ns | |
| Délai de mise en marche typique : | 10ns | |
| Largeur: | 3 millimètres | |
| Unité de poids: | 0,000981 oz |
produit Tag:
