MSD42T1G
- onsemi
- Chine
- 21+/22+
- 5000~50000
1, super grand approvisionnement d'usine EMS, les meilleures conditions de stockage;
2, l'usine d'origine n'a pas ouvert la norme d'origine (l'ensemble du paquet), la qualité est garantie ;
3, les matériaux de contrôle non spéciaux ne peuvent pas être peints;
4, les derniers produits de l'année, disponibles pour une variété de matériaux rares;
| Attribut de produit | Valeur d'attribut | Sélectionnez l'attribut |
|---|---|---|
| tous | ||
| Catégorie de produit: | Transistors bipolaires - BJT | |
| RoHS : | Des détails | |
| CMS/CMS | ||
| SC-59-3 | ||
| NPN | ||
| Seul | ||
| 300V | ||
| 300V | ||
| 6V | ||
| 500 mV | ||
| 150mA | ||
| 150mW | ||
| - | ||
| - 55 C | ||
| + 150 C | ||
| MSD42 | ||
| Bobine | ||
| Couper le ruban | ||
| SourisReel | ||
| Marque: | tous | |
| Collecteur DC/Base Gain hfe Min : | 25 | |
| Hauteur: | 1,2 mm | |
| Longueur: | 3,1 millimètres | |
| Type de produit: | BJT - Transistors bipolaires | |
| 3000 | ||
| Sous-catégorie : | Transistors | |
| Technologie: | Et | |
| Largeur: | 1,7 mm | |
| Unité de poids: | 0,000988 oz |
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